“诚信、探索、关切”有时是最常见的企业文化，而（600460）并不稚拙于此，公司还将“隐忍”刻入了企业的文化，背后反馈的是从事集成电路产业所要对峙的历久主义。

深耕半导体行业20多年，看成国内首家民营的集成电路蓄意上市公司，士兰微凭借老本市集助力，已发展成为国产芯片蓄意与制造一体（IDM）花式的头部企业。

近日，证券时报采访团走进士兰微成齐工场，试图探寻士兰微的成长之路。同期，面对新的市集形势变化，公司又将如何把捏快速发展的产业机会。

5英寸到12英寸的向上

“从大家来看，近几年齐在加速斥地12英寸产线，并往大尺寸产线去发展，士兰微亦然沿着这条路在走。”士兰微财务总监、董事会文牍陈越对质券时报·e公司记者暗示。

这20多年来，士兰微遥远对峙走IDM发展谈路，买通了“芯片蓄意、芯片制造、芯片封装”全产业链，收尾了“从5英寸到12英寸”的向上，在功率半导体、MEMS（微机电系统）、光电器件和第三代化合物半导体等界限构筑了中枢竞争力。

2001年1月，在《国务院对于印发饱读舞软件产业和集成电路产业发展几许政策的告知》等政策疏导下，杭州士兰集成电路有限公司宣告成立，并在杭州下沙经济本领斥地区启动斥地一条5英寸芯片坐蓐线，厚爱开启了士兰微的IDM征途。

一般来看，半导体芯片行业常见的运营花式主要有三种，即IDM、无工场芯片供应商（Fabless）和代工场（Foundry）。

IDM企业相聚了芯片蓄意、芯片制造、封装和测试通盘经过，兼具协同优化的上风，历久看更具有盈利智商。不外，IDM花式对晶圆代工、封装测试的坐蓐线均需要进行重钞票插足，早期需要忍受产能爬坡时产能诳骗率不及导致的大额亏本，在碰到行业周期下行时，也可能濒临着较大的财务压力。

陈越对质券时报·e公司记者暗示，公司上市是一个比拟热切的节点，惩处了士兰微投建产线的资金问题，2.9亿元的召募资金复古了公司5英寸、6英寸产线的斥地以及部分研发支拨，为公司后续的发展奠定了基础。

2014年6月，国务院印发《国度集成电路产业发展鼓吹纲领》，随后竖立了千亿级限度的国度集成电路产业投资基金（下称“大基金”）。

“这恰巧惩处了历久老本问题。在取得大基金复古后，咱们胆气就大了少许，加速推动了8英寸线的斥地。”陈越暗示，2016年2月，士兰微厚爱文书与大基金达成斥地8英寸晶圆坐蓐线的结合，8英寸线的投建裁减了士兰微与外洋大厂在硬件装备上的差距。

与此同期，除了赢得国度大基金投资复古外，士兰微与地点政府的结合也在快速鼓吹。2017年12月，士兰微与厦门市海沧区东谈主民政府签署了《政策结合框架公约》，拟共同投资220亿元，在厦门筹画斥地两条12英寸90～65nm的特点工艺芯片坐蓐线和一条4/6英寸兼容先进化合物半导体器件坐蓐线。

2019年—2020年，士兰微在厦门的化合物坐蓐线和12英寸坐蓐线接踵投产；2023年，士兰微12英寸特点工艺芯片坐蓐线产能已达6万片/月，先进化合物半导体器件坐蓐线产能已达14万片/月。

由此，士兰微基本完成了坐蓐基地布局，领有了杭州、成齐、厦门三个坐蓐基地。

成齐士兰月产值破2亿元

“第二个热切节点要从成齐启动，2010年士兰微初到成齐时，准备在此再建一条6英寸产线，但其后推敲到6英寸线可能不再合适产业发展设施等要素，就回到杭州去建了8英寸线。”陈越告诉证券时报·e公司记者。

但士兰微在发展过程中发现，变频模块这类功率半导体对封装圭臬条目高，封装对功率半导体可靠性要素影响程度致使不错达到50%足下，士兰微产生了建立封装制造基地的思法。

为积极响应国度“西部大斥地”的命令，士兰微于2010年年底接受在成齐市“成齐-阿坝工业聚合发展区”（下称“成阿园区”）投资成立成齐士兰半导体制造有限公司（下称“成齐士兰”），尔后又成立了成鸠合佳科技有限公司（下称“成鸠合佳”），业务拓展至功率模块封装界限。

2013年，成齐工场一期建成了一栋芯片厂、一栋封装厂，诳骗这里比拟充沛的水电资源，把相对能耗较高的外延工序部分业务先行放到成齐。陈越说，这么成齐士兰就有了本领蕴蓄和现款流，由此陆续推动封装产线斥地。

近日，证券时报采访团来到成齐士兰坐蓐车间参不雅，进入产线前整个东谈主齐必须要从新到脚“全副武装”穿上无尘防静电洁净服套装，并需要经过喷淋区除尘。据成齐士兰责任主谈主员先容，坐蓐车间至少需要达到1万级洁净度，这个等第大幅高于庸俗食物加工行业。

在这里，成齐士兰产线的自动化和数字化程度相等高，建有车规IGBT和碳化硅模块的封装与测试坐蓐车间。其中，一条前年建成投产的IGBT模块全自动封装坐蓐线，投资金额达到了8000万元。据成齐士兰责任主谈主员先容，这条产线日产功率模块1600颗，大大教育了责任后果和产物良率。此前，产线上坐蓐雷同的产物概况是需要40名工东谈主，而当今仅需两个班10东谈主。

成齐工场成为了士兰微硅外延片的制造中心和功率半导体产物独一的封测制造基地。如今，士兰微在成阿园区累计完成固定钞票投资超60亿元，胜利买通了“蓄意—制造—封装”全产业链。

在硅外延片制造方面，成齐士兰专注研发应用于功率器件芯片制造的硅外延本领，并取得国内当先地位，咫尺已具备5英寸、6英寸、8英寸、12英寸全尺寸外延片的坐蓐智商，这是西南地区尺寸最全、最具限度的硅外延制造企业；在功率半导体产物封装方面，士兰微的特点功率模块产物及先进封装本领一经达到外洋先进、国内当先水平。

陈越对质券时报·e公司记者暗示，咫尺，成齐士兰月产值冲破了2亿元。

推动本领迭代升级

早期，士兰微主要以耗尽电子为主，赶上了国内半导体的第一波耗尽电子发展的红利。

2008年金融危境席卷而来，让士兰微暂时堕入逆境。据陈越回忆，2007年第四季度公司销售订单骤降，致使出现亏本。为渡过勤恳期，士兰微加速调动产物结构，从传统耗尽电子转向门槛更高、更顺应IDM花式的界限，进而接受了IPM（智能功率模块）、高端功率器件、MEMS传感器等产物看成冲破口。

2016年，士兰微IPM模块产物取得市集冲破，彼时，国内几家主流的白电厂家在变频空调等白电整机上使用了特出100万颗士兰IPM模块。2024年上半年，国内多家主流厂商在变频空调等白电整机上使用了特出8300万颗士兰IPM模块，本年瞻望特出1.6亿颗，8年增长160倍。

字据《产业在线》公布的最新统计数据，士兰微位列“2024年上半年白色家电IPM TOP3品牌市集份额”。由于市集需求约束增大，士兰微瞻望本年公司IPM模块的交易收入将会陆续快速增长。

功率器件方面，士兰微逐步从耗尽电子市集向汽车电子等高端客户群体转型，公司咫尺处于满负荷坐蓐气象；集生遵循模块方面，2024年已启动大限度装车，产能得到进一步开释；化合物产物方面，公司将推出高端LED产物以及汽车矩阵大灯等复杂先进工艺产物。

陈越暗示，士兰微字据卑劣大客户的需求，配合他们去坐蓐、扩产和进行本领的迭代，短期内可能对公司变成较大的压力，要约束插足研发和斥地产能，但士兰微对峙了下来。在陈越看来，这个策略作念对了，“笨鸟先飞、笨鸟快飞”等于这个兴趣。

什么叫最难，在陈越看来，这就意味着，产物质能要达到外洋大厂水平，成本要比别东谈主低。

咫尺，士兰微已领有一支特出600东谈主的芯片蓄意研发戎行，还有特出3500东谈主的芯片工艺、封装本领、测试本领研发和产物应用复古戎行。

士兰微从集成电路芯片蓄意企业，完成了向抽象型的半导体产物供应商的篡改，在特点工艺平台和在半导体大框架下，士兰微形成了多个本领门类的半导体产物，智能功率模块（IPM）、车规级和工业级大功率模块（PIM）、化合物半导体器件（LED芯片，SiC、GaN功率器件）、MEMS传感器等。

对准新发展机会

刻下，国产芯片入口替代的进度彰着加速，见缝插针。

陈越暗示，士兰微会围绕功率半导体，重心对准刻下汽车、新动力、算力和通讯等产业快速发展的机会，收拢国内高门槛行业和客户积极导入国产芯片需求的时期窗口，陆续在特点工艺平台斥地、新本领新产物斥地、与政策级大客户结合等方面加大插足。

以汽车为例，陈越先容，新动力汽车内部的芯片占到整车成本的20%—30%，燃油车芯片占比也达到10%。国产替代虽不是100%齐要我方作念，但至少有颠倒一部分能够自食其力，咱们的制造业能力够历久蕃昌发展。

陈越坦言，在作念好现存筹画产物的同期，也要看到与外洋大厂的差距。在汽车界限，国内所谓汽车芯片厂家的历史齐很短，最近两三年内才启动给国内卑劣车厂供应芯片。一辆汽车本人的人命周期应该在8到10年致使更长，车规级芯片的质料条目是15年不出任何问题，但许多芯片装上去还没走完一个竣工的人命周期。

“尽管咱们跑得快，时期照旧比拟短。”陈越以为，数据很热切，数据蕴蓄越多，水平就越高，这么才知谈从那边去优化，从那边去迭代，从那边去降成本。咱们需要独力荣达，但也弗成够毁灭对外通达这条路。

士兰微莫得闲着。2024年5月，厦门市联系政府部门与士兰微共同签署了新的政策框架公约，这是士兰微加速发展汽车半导体重要芯片的要紧举措。两边拟在厦门斥地一条以SiC MOSFET为主要产物的8英寸SiC功率器件芯片坐蓐线。该名目分两期斥地，合计投资120亿元，名目建成后，将形成年产72万片8英寸SiC功率器件芯片的智商。

2024年半年报泄漏，1—6月时期，士兰微IGBT和SiC（模块、器件）的交易收入已达到7.83亿元，同比增长30%以上。

基于士兰微自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在比亚迪、祯祥、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国表里多家客户收尾批量供货；士兰微用于汽车的IGBT器件（单管）、MOSFET器件（单管）已收尾多数目出货。此外，用于光伏的IGBT器件（制品）、逆变按捺模块、SiC MOS器件也收尾批量出货。

另外，基于士兰微自主研发的II代SiC MOSFET芯片坐蓐的电动汽车主电机驱动模块，已通过祯祥、汇川等客户考据，并启动收尾批量坐蓐和委派。士兰微已初步完成第III代平面栅SiC MOSFET本领的斥地，性能方针达到业内同类器件结构的先进水平，公司正在加速产能斥地和升级，尽快将此款芯片导入量产。

历久来看，新式本领和产物还将陆续推出，汽车和新动力市集还保持繁荣的需求，联系半导体市集亦将赓续增长。士兰微则将陆续进展IDM一体化上风，对标外洋先进IDM大厂，朝着成为具有大家竞争力的抽象性半导体产物公司的标的坚决上前。

责编：梁秋燕

校对： 廖胜超